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簡要描述:硬化涂層膜厚儀是一款快速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。
產品型號:
廠商性質:代理商
產品資料:
更新時間:2024-11-09
訪  問  量: 1620產品分類
Product Category詳細介紹
硬化涂層膜厚儀是一款快 速、準確測量薄膜表征應用的模塊化解決方案,要求的光斑尺寸小到幾個微米,如微圖案表面,粗糙表面及許多其他表面。它可以配備一臺計算機控 制的XY工作臺,使其快 速、方便和準確地描繪樣品的厚度和光學特性圖。品牌屬于Thetametrisis。
Thetametrisis利用 FR-Mic,通過紫外/ 可見/ 近紅外可輕易對局部區(qū)域薄膜厚度,厚度映射,光學常數(shù),反射率,折射率及消光系數(shù)進行測量。
【相關應用】
1.高校 & 研究所實驗室
2.半導體制造
3.(氧化物/氮化物, 硅膜, 光刻膠及其他半導體薄膜.)
4.MEMS 器件 (光刻膠, 硅膜等.)
5.LEDs, VCSELs
6.數(shù)據(jù)存儲
7.陽極處理
8.曲面基底的硬鍍及軟鍍
9.聚合物膜層, 粘合劑
10.生物醫(yī)學(聚對二甲苯, 生 物膜/氣泡壁厚度.)
11.還有許多…
【Thetametrisis膜厚儀特點】
1、實時光譜測量
2、薄膜厚度,光學特性,非均勻性測量, 厚度映射
3、使用集成的,USB連接高品質彩色攝像機進行成像

【Thetametrisis膜厚儀產品優(yōu)勢】
1、單擊即可分析 (無需初始預測)
2、動態(tài)測量
3、包含光學參數(shù) (n & k, color)
4、可保存測量演示視頻錄像
5、超過 600 種不同材料o 多個離線分析配套裝置o 免費操作軟件升級
【技術參數(shù)】
*測量面積(收集反射或透射信號的面積)與顯微鏡物鏡和 FR-uProbe 的孔徑大小有關
型號  | UV/VIS  | UV/NIR-EXT  | UV/NIR-HR  | DUV/NIR  | VIS/NIR  | DVIS/NIR  | NIR  | |
光譜波長范圍(nm)  | 200–850  | 200–1020  | 200-1100  | 200–1700  | 370–1020  | 370–1700  | 900–1700  | |
光譜儀像素  | 3648  | 3648  | 3648  | 3648&512  | 3648  | 3648&512  | 512  | |
膜厚測量范圍  | 5X-VIS/NIR  | 15nm–60μm  | 15nm–70μm  | 15nm–90μm  | 15nm–150μm  | 15nm–90μm  | 15nm–150μm  | 100nm–150μm  | 
10X-VIS/NIR 10X-UV/NIR*  | 4nm–50μm  | 4nm–60μm  | 4nm–80μm  | 4nm–130μm  | 15nm–80μm  | 15nm–130μm  | 100nm–130μm  | |
15X-UV/NIR*  | 4nm–40μm  | 4nm–50μm  | 4nm–50μm  | 4nm–120μm  | –  | –  | –  | |
20X-VIS/NIR 20X-UV/NIR*  | 4nm–25μm  | 4nm–30μm  | 4nm–30μm  | 4nm–50μm  | 15nm–30μm  | 15nm–50μm  | 100nm–50μm  | |
40X-UV/NIR*  | 4nm–4μm  | 4nm–4μm  | 4nm–5μm  | 4nm–6μm  | –  | –  | –  | |
50X-VIS/NIR  | –  | –  | –  | –  | 15nm–5μm  | 15nm–5μm  | 100nm–5μm  | |
測量n&k蕞小厚度  | 50nm  | 50nm  | 50nm  | 50nm  | 100nm  | 100nm  | 500nm  | |
光源  | 氘燈&鹵素燈(internal)  | 鹵素燈(internal)  | ||||||
材料數(shù)據(jù)庫  | >600不同材料  | |||||||
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物鏡  | 光斑尺寸(μm)  | ||
500μm孔徑  | 250μm孔徑  | 100μm孔徑  | |
5x  | 100μm  | 50μm  | 20μm  | 
10x  | 50μm  | 25μm  | 10μm  | 
20x  | 25μm  | 17μm  | 5μm  | 
50x  | 10μm  | 5μm  | 2μm  | 
【工作原理】
*規(guī)格如有更改,恕不另行通知, 測量結果與校準的光譜橢偏儀和 XRD 相比較, 連續(xù) 15 天測量的標準方差平均值。樣品:1um SiO2 on Si., 100 次厚度測量的標準方差,樣品:1um SiO2 on Si.
*超過 15 天的標準偏差日平均值樣品:1um SiO2 on Si。
以上資料來自Thetametrisis,如果有需要更加詳細的信息,請聯(lián)系我們獲取。
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